2025-03-24 资讯 0
我将GaN器件与控制IC相结合，助力电源应用进一步节能和小型化。ROHM确立了一项超高速驱动控制IC技术，这项技术可以更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。近年来，GaN器件因其具有高速开关的特性优势而被广泛采用，而如何提高控制IC（负责GaN器件的驱动控制）的速度已成为亟需解决的问题。
在这种背景下，ROHM进一步改进了在电源IC领域确立的超高速脉冲控制技术“Nano Pulse Control”，成功地将控制脉冲宽度从以往的9ns提升至2ns，这达到了业界超高水平。通过将该技术应用于控制IC中，又成功地确立了可更大程度激发GaN器件性能的超高速驱动控制IC技术。
目前，ROHM正在推动应用该技术的控制IC产品转化工作，并计划在2023年下半年开始提供100V输入单通道DC-DC的样品。这意味着通过将其与ROHM的“EcoGaN系列”等GaN器件相结合，将会为基站、数据中心、FA设备和无人机等众多应用实现显著节能和小型化做出贡献。
日本大阪大学研究生院工学研究科森勇介教授表示：“多年来，GaN作为能够实现节能功率半导体材料一直备受期待，但这种材料在品质和成本等方面还存在诸多问题。在这种背景下，ROHM建立了高可靠性GaN器件量产体系，并积极推动能够更大程度地发挥出GaN器件性能的开发。这对于促进GaN器件普及而言，可以说是非常重要的一大步。”
要想真正发挥出功率半导体性能，就需要将晶圆、元器件、控制IC、模块等多种技术有机结合起来。在这方面，日本有包括ROHM在内的大量极具影响力的企业。我认为，从我们正在研究的小纳米晶圆到他们正在研究元器件事务以及模块，都需要整个国家通力合作，为实现无碳社会贡献力量。”
