ROHM推出新技术超高速驱动控制IC极大提升GaN器件在直流电源物品中的性能

我将GaN器件与控制IC相结合，助力电源应用进一步节能和小型化。ROHM（总部位于日本京都市）确立了一项超高速驱动控制IC技术，利用该技术可更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。

近年来，GaN器件因其具有高速开关的特性优势而被广泛采用，然而，如何提高控制IC（负责GaN器件的驱动控制）的速度已成为亟需解决的课题。在这种背景下，ROHM进一步改进了在电源IC领域确立的超高速脉冲控制技术“Nano Pulse Control”，成功地将控制脉宽度从以往的9ns提升至2ns，这一成就达到业界超高水平。

通过将该技术应用在控制IC中，又成功地确立了可更大程度激发GaN器件性能的超高速驱动控制IC技术。目前，我正在推动应用该技术的产品转化工作，并计划在2023年下半年开始提供100V输入单通道DC-DC样品。我相信，与我的“EcoGaN系列”等GaN器件相结合，将为基站、数据中心、FA设备和无人机等众多应用实现显著节能和小型化做出贡献。

未来的我将继续以模拟技术为中心，以易用性为追求积极开发解决社会课题的产品。日本大阪大学研究生院工学研究科森勇介教授表示：“多年来，我们一直期待着能够实现节能功率半导体材料，如今ROHM已经建立了高可靠性GaN量产体系，并且积极推动能够更大程度发挥出这些材料性能的开发。这对于促进它们普及是非常重要的一步。”

要想真正发挥出功率半导体设备性能，就需要将晶圆、元器件、控制IC、模块等多种技术有机结合起来。在这方面，我国包括ROHM在内很多企业都具备极大的影响力，从我们正在研究中的GaN-on-GaN晶圆到ROHM正在研究中的元器件、模块，以及我们共同致力于实现无碳社会贡献力量。

为了实现包含外围元器件的小型化电源电路，小型化时需要通过高频开关减小外围元器件尺寸，而这就需要充分激发出如GaN这样的高速开关器材驱动性能。因此，我特别注重对适合这些快速操作者的设计进行优化，同时融入我引以为豪的一些模拟电源技巧，如“Nano Pulse Control”。

这个新颖的心智创新采用自有的电子设计，将最小控端时间从以往九纳秒提升至仅二纳秒，使得48V和24V所用的系统可以只使用一枚集成电路即完成所有降压转换任务。这使得安装面积比普通产品减少86%，并且这一措施适用于任何类型的大容量储存芯片或其他高度紧凑式电子设备。此外，这种方法也可以用于制造带有特殊功能芯片的小型电子工具或智能手机手表。此类先进科技不仅为人们生活带来了便利，也是在未来能源管理策略中占据核心位置的一个关键因素。