2025-03-24 资讯 0
我将GaN器件与控制IC相结合，助力电源应用进一步节能和小型化。ROHM确立了一项超高速驱动控制IC技术，利用该技术可更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。我近年来，GaN器件因其具有高速开关的特性优势而被广泛采用，然而，我如何提高控制IC（负责GaN器件的驱动控制）的速度已成为亟需解决的问题。在这种背景下，我ROHM进一步改进了在电源IC领域确立的超高速脉冲控制技术“Nano Pulse Control”，成功地将控制脉宽度从以往的9ns提升至2ns，达到业界超高水平。我通过将该技术应用在控制IC中，又成功地确立了可更大程度激发GaN器件性能的超高速驱动控制IC技术。
目前，我正在推动应用该技术的产品转化工作，并计划在2023年下半年开始提供100V输入单通道DC-DC样品。我相信，这些产品与我的“EcoGaN系列”等GaN器件相结合，将会为基站、数据中心、FA设备和无人机等众多应用实现显著节能和小型化做出贡献。
未来，我将继续以模拟技术为中心，以易用性为追求，不断开发解决社会问题的产品。日本大阪大学研究生院工学研究科森勇介教授表示：“多年来，作为能够实现节能功率半导体材料,GaN一直备受期待，但这种材料在品质和成本方面还存在诸多问题。在这种背景下，我ROHM建立了高可靠性GaN量产体系，并积极推动能够更大程度地发挥出GaN性能的新一代Control IC。这对于促进GaN普及而言，可以说是非常重要的一步。”
要想真正发挥功率半导体性能，就需要将晶圆、元器件、Control IC、模块等多种技术有机结合起来。在这方面，我们国家包括我ROHM在内很多企业都极具影响力。从我们正在研究中的GaN-on-GaNGaAs晶圆到我公司研究中的元器件、Control IC以及模块，都需要整个国家通力合作，为实现无碳社会贡献力量。
为了实现包含外围元器件的小型化方案，我们必须通过高频开关减小外围元器件尺寸，而这就需要充分激发出如GaN这样的高速开关设备所需驱动性能。为了这个目的，我不仅利用了自有的模拟电源技巧之一——“Nano Pulse Control”技巧，还融合了电路设计工艺布局三大部分进行优化。
通过采用自有结构，使得最小控脉宽由以往9ns扩展至2ns，从而使得48V及24V使用主流应用，只需1枚电源芯片即完成从60V最高降压转换工作（从0.6V低压）。这一措施适合与我们的Eco GaN系列配合使用，从而帮助外围组成更加精细微观。此举对比于采纳普通电子部品时，可让安装空间缩减86%且效率提升。
"Nano Pulse Control"是一种用于超快速波形调制的一种先进方法，它可以创造出纳秒级别（1/1,000,000秒）的信号变化时间，使得原本无法执行的大容量、高效能传输变成可能。而如果你想要了解更多关于"Nano Pulse Control"的话，请访问：https://www.rohm.com.cn/support/nano
"Eco GaN"是指那些经过最大限度优化以增强其低阻抗状态并加快切换速度，因此适应于各种能源项目的小规模版本。这些工具可以帮助降低总体功耗、小型化周边配备，加速设计周期并减少所需零部数数量，对不同用户来说是一个巨大的福音。
