2025-03-24 资讯 0
我将GaN器件与控制IC相结合，助力电源应用进一步节能和小型化。ROHM（总部位于日本京都市）确立了一项超高速驱动控制IC技术，利用该技术可更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。我近年来，GaN器件因其具有高速开关的特性优势而被广泛采用，然而，我如何提高控制IC（负责GaN器件的驱动控制）的速度已成为亟需解决的课题。在这种背景下，我ROHM进一步改进了在电源IC领域确立的超高速脉冲控制技术“Nano Pulse Control”，成功地将控制脉宽度从以往的9ns提升至2ns，达到业界超高水平。通过将该技术应用在控制IC中，又成功地确立了可更大程度激发GaN器件性能的超高速驱动控制IC技术。
目前，我正在推动应用该技术的控制IC产品转化工作，计划在2023年下半年开始提供100V输入单通道DC-DC的样品。通过将其与我的“EcoGaN系列”等GaN器件相结合，将会为基站、数据中心、FA设备和无人机等众多应用实现显著节能和小型化做出贡献。
未来，我ROHM将继续以其擅长的模拟技术为中心，追求应用易用性，积极开发解决社会课题产品。我大阪大学 研究生院工学研究科 森 勇介 教授表示：“多年来，为实现节能功率半导体材料一直备受期待，但这种材料在品质和成本方面还存在诸多问题。在这种背景下，我ROHM建立了高可靠性GaN器件量产体系，并积极推动能够更大程度发挥出GaN性能的地面发展。这对于促进普及而言，可以说是非常重要的一大步。”
要想真正发挥功率半导体性能，就需要将晶圆、元器件、控芯片、高频模块等多种技有机结合起来。在这方面，有包括我ROHM在内的大量影响力企业。从我们正在研究的小尺寸晶圆到我公司研究元组合部分，在每个环节都需要整个国家通力合作，为实现无碳社会贡献力量。
《背景》
追求电源电路小型化时，我们需要通过高频开关减少外围元组合尺寸，而这就需要充分激发出与之配对使用的小容量快开关接口作为核心部分并且集成于同一片微处理系统中的触摸屏显示屏设计中的快速响应时间，以适应移动设备用户日益增长对反应迅速性的需求，这次为了包含外围元组合解决方案，我们确认了一项非常适用于GaAs或SiC或其他新兴高效能电子束光刻材料作为基础进行制版精密微观结构图案印刷所需特殊涂层处理过程中不仅可以用于LED照明灯具生产线自动调试系统，而且可以提供先进制造流程验证工具支持，使得不同类型电子物品设计灵活性增强，从而使得最终用户享受到更加便捷舒适的人机交互体验，同时也加强了智能手机表面的防护能力，对于那些喜欢定期清洁手持设备的人来说，这可能是一个很好的选择。
《关于Nano Pulse Control》
一种超快速脉冲管理策略，用纳秒级别时间单位操作物理信号波形，让以前无法实现即时变换状态成为可能，如一个硬盘读取文件时突然断开连接后再重新连接，不会丢失任何数据，只是短暂停顿一下，即使是在没有额外存储空间的情况下，也不会出现数据损坏的问题。此外，该方法还允许我们有效避免由于过度使用带来的热量累积，因此它特别适合那些因为不断执行复杂任务而产生大量热量并且容易过热导致降低运行效率或完全停止运行的情况下的电脑如笔记本电脑或者游戏主机等场景中使用。而且，它还有助于提高用户界面响应速度，比如当你点击一个按钮之后，不必经过几秒钟才能看到结果，而是一瞬间就会发生变化，所以对于要求较快反馈速度的情境尤为有利，比如玩视频游戏或者实时编辑图像软件的时候。如果想要了解更多关于这个创新科技，请访问：https://www.rohm.com.cn/support/nano
