瑞萨电子拟于2025年实现碳化硅功率器件量产

据外媒报道，日本半导体巨头瑞萨电子日前宣布，将于2025年开始生产使用碳化硅(SiC)来降低损耗的下一代功率半导体产品。计划在目前生产硅基功率半导体的群马县高崎工厂进行量产，但具体投资金额和生产规模尚未确定。 报道称，碳化硅比传统的硅具有更好的耐热性和耐压性。使用SiC的功率半导体极少功率损耗，如果用于电动汽车，可以延长续航里程。除电动汽车外，蓄电池等可再生能源领域的应用也有望扩大。 意法半导体、英飞凌、三菱电机等企业都在布局碳化硅半导体，瑞萨电子起步较晚，但CEO柴田英利在新闻发布会上表示，“传统的功率半导体上我们是后来者，但现在因高效率而备受推崇，SiC也可以做到。” 瑞萨现行采取的生产策略是运算用先进逻辑芯片等产品委由晶圆代工厂生产、而易于活用自家技术的功率半导体则靠自家工厂生产。而除了SiC外，瑞萨也将对现行EV采用的硅制IGBT等功率半导体进行积极投资，于2014年关闭的甲府工厂预计将在2024年上半年重新启用、将生产硅制功率半导体。 柴田英利自信的表示，「客户对瑞萨IGBT的评价非常高、会将这些评价活用至SiC事业上。现在SiC市场仍小、但将来毫无疑问的会变得非常大。客户对瑞萨SiC产品的询问、即便是(尚未生产的)现在、也非常强劲，2025年开始生产的话、事业将可顺遂进行」。 和硅制功率半导体相比、SiC功率半导体拥有更优异的耐热/耐压性，电力耗损少，搭载于EV能提高续航距离，而除了EV外、来自蓄电池等再生能源领域的需求也看涨。