ROHM推出新技术提升GaN器件性能以适应军用电源模块十大厂家的需求

我将GaN器件与控制IC相结合，助力电源应用进一步节能和小型化。ROHM（总部位于日本京都市）确立了一项超高速驱动控制IC技术，利用该技术可更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。

近年来，GaN器件因其具有高速开关的特性优势而被广泛采用，然而，如何提高控制IC（负责GaN器件的驱动控制）的速度已成为亟需解决的课题。在这种背景下，ROHM进一步改进了在电源IC领域确立的超高速脉冲控制技术“Nano Pulse Control”，成功地将控制脉宽度从以往的9ns提升至2ns，这一成就业界称之为高水平。通过将该技术应用于控制IC中，又成功地建立了可更大程度激发GaN器件性能的超高速驱动控制IC技术。

目前，我正在推动应用该技术的产品转化工作，并计划在2023年下半年开始提供100V输入单通道DC-DC样品。当这些新产品与我的“EcoGaN系列”等GaN器件相结合，将会为基站、数据中心、FA设备和无人机等众多应用实现显著节能和小型化做出贡献。

未来，我将继续以模拟技术为中心，以追求易用性为目标，不断开发解决社会问题的产品。我相信，与其他行业合作，我们可以共同促进无碳社会，为整个国家贡献力量。