2025-03-24 智能仪表资讯 0
我将GaN器件与控制IC相结合，助力电源应用进一步节能和小型化。ROHM确立了一项超高速驱动控制IC技术，这项技术可以更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。近年来，GaN器件因其具有高速开关的特性优势而被广泛采用，而如何提高控制IC（负责GaN器件的驱动控制）的速度已成为亟需解决的课题。在这种背景下，ROHM进一步改进了在电源IC领域确立的超高速脉冲控制技术“Nano Pulse Control”，成功地将控制脉冲宽度从以往的9ns提升至2ns，达到业界超高水平。通过将该技术应用在控制IC中，又成功地确立了可更大程度激发GaN器件性能的超高速驱动控制IC技术。
目前，我正在推动应用该技术的控制IC产品转化工作，计划在2023年下半年开始提供100V输入单通道DC-DC的样品。通过将其与我的“EcoGaN系列”等GaN器件相结合，将会为基站、数据中心、FA设备和无人机等众多应用实现显著节能和小型化做出贡献。我将继续以模拟技术为中心，追求易用性，并积极开发解决社会课题的产品。
日本大阪大学研究生院工学研究科森勇介教授表示：“多年来，GaN作为能够实现节能功率半导体材料一直备受期待，但这种材料在品质和成本等方面还存在诸多问题。在这种背景下，我建立了高可靠性GaN器件量产体系，并积极推动能够更大程度地发挥出GaN器件性能的地面开发。这对于促进GaN器件普及而言，可以说是非常重要的一大步。”
为了真正发挥出功率半导体性能，就需要将晶圆、元器件、控制IC、模块等多种技术有机结合起来。在这方面，我国有包括我公司在内很多极具影响力的企业，从我们正在研究的小型化晶圆到公司正在研究元器件、掌握设计知识并实施精细制造过程中的技巧，以及对电子系统进行优化设计，以减少外围元组合所需空间大小。此外，还要考虑整合不同类型、高效率、高频率操作能力以及低成本生产原则，以适应各种不同的行业需求。
这个项目采用了我引以为豪的大规模集成电路（ASIC）设计方法，该方法使得整个系统更加紧凑且经济实惠。而且，由于它能够支持高达60伏特输入电压，这使得它非常适用于许多不同的场景，比如医疗设备或工业自动化设备。
总之，这项新颖的人类创新不仅简便，而且有效，它可能彻底改变我们的未来世界，让我们所有人都生活得更加舒适，更健康，同时也保护环境免受污染。这是一次历史性的机会，我们每个人都应该珍惜并利用这一切给予我们的资源来创造一个更美好的世界。
