2025-03-24 智能仪表资讯 0
我将GaN器件与控制IC相结合，助力电源应用进一步节能和小型化。ROHM确立了一项超高速驱动控制IC技术，这项技术可以更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。近年来，GaN器件因其具有高速开关的特性优势而被广泛采用，而如何提高控制IC（负责GaN器件的驱动控制）的速度已成为亟需解决的课题。在这种背景下，ROHM进一步改进了在电源IC领域确立的超高速脉冲控制技术“Nano Pulse Control”，成功地将控制脉冲宽度从以往的9ns提升至2ns，达到业界超高水平。通过将该技术应用在控制IC中，又成功地确立了可更大程度激发GaN器件性能的超高速驱动控制IC技术。
目前，我正在推动应用该技术的控制IC产品转化工作，计划在2023年下半年开始提供100V输入单通道DC-DC的样品。通过将其与我的“EcoGaN系列”等GaN器件相结合，将会为基站、数据中心、FA设备和无人机等众多应用实现显著节能和小型化做出贡献。我将继续以模拟技术为中心，追求易用性，并积极开发解决社会课题的产品。
日本大阪大学研究生院工学研究科森勇介教授表示：“多年来，GaN作为能够实现节能功率半导体材料一直备受期待，但这种材料在品质和成本等方面还存在诸多问题。在这种背景下，我建立了高可靠性GaN器件量产体系，并积极推动能够更大程度地发挥出GaN器件性能的地面开发。这对于促进GaN器件普及而言，可以说是非常重要的一大步。”
为了真正发挥出功率半导体性能，就需要将晶圆、元器件、控制IC、模块等多种技术有机结合起来。在这方面，我国有包括我公司在内很多极具影响力的企业。从我们正在研究的地面晶圆到我的元器 件、高频开关及其相关外围元组合成系统，都需要整个国家通力合作，为实现无碳社会贡献力量。
《背景》
追求电源电路小型化时，我们需要通过高频开关来减小外围元组合成系统尺寸。而这就需要能够充分激发出Ga N等高速开关非线性电子元组合成系统驱动性能的地面非线性电子元组合成系统接口模块。这次，对于包含外围元组合成系统解 决方案，我公司确立了一项非常适用于Ga N非线形电子元组合成系统接口模块 的超快速微波信号处理 IC 技术，该技 术中还融入了我们引以为豪 的 “N ano Pulse Control” 技术。
《关于Nano Pulse Control》
一款由我专利研制并生产的大规模集成数字逻辑芯片，是一种先进且高度集成了自适应校准功能，使得对所有类型微波信号进行精确测量成为可能，从而使得通信网络中的传输效率得到显著提升。此外，它还具有自动校准能力，即使是在最复杂条件下也能保持精度不变，因此它已经成为通信行业中不可或缺的一部分。此款芯片设计用于直接连接到任何类型的大规模集 成数字逻辑芯片，无论是即插即用的PCB板还是嵌入式硬盘存储设备，都可以轻松安装此款芯片，从而最大限度减少使用者操作时间，同时提高整体效率。此款芯片支持各种标准数据格式，如USB, SATA, eSATA 和其他任何标准数据交换协议。此款chip还有一个独特功能，那就是它支持任意数量输出端口，同时允许用户选择不同速率，以满足不同的需求。
