2025-03-24 智能仪表资讯 0
我将GaN器件与控制IC相结合，助力电源应用进一步节能和小型化。ROHM（总部位于日本京都市）确立了一项超高速驱动控制IC技术，利用该技术可更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。
近年来，GaN器件因其具有高速开关的特性优势而被广泛采用，然而，如何提高控制IC（负责GaN器件的驱动控制）的速度已成为亟需解决的课题。在这种背景下，ROHM进一步改进了在电源IC领域确立的超高速脉冲控制技术“Nano Pulse Control”，成功地将控制脉冲宽度从以往的9ns提升至2ns，达到业界超高水平。通过将该技术应用在控制IC中，又成功地确立了可更大程度激发GaN器件性能的超高速驱动控制IC技术。
目前，我正在推动应用该技术的产品转化工作，并计划在2023年下半年开始提供100V输入单通道DC-DC样品。我相信，将我的“EcoGaN系列”等GaN器件与该产品相结合，将会为基站、数据中心、FA设备和无人机等众多应用实现显著节能和小型化。
未来的我将继续以模拟技术为中心，以追求易用性为目标，不断开发能够解决社会问题的大型项目。日本大阪大学研究生院工学研究科森勇介教授表示：“多年来，我们一直期待着能够实现节能的小功率半导体材料，但这种材料在品质和成本方面还存在诸多问题。在这种背景下，我建立了高可靠性GaN器件量产体系，并积极推动能够更大程度地发挥出这些性能的新一代半导体制备方法。这对于促进这类新材料普及而言，可以说是非常重要的一步。”
为了真正发挥出功率半导体材料潜力的可能性，就需要将晶圆、元器件、芯片设计以及外围集成电路有机结合起来。在这方面，有包括我们公司在内的大量企业都致力于此。而且，从我们正在研究的人工晶圆到他们正在研发元器件、芯片设计以及模块组装，我们需要整个国家团结协作，为实现无碳社会贡献力量。
为了实现在外围元组合方案上，小型化时，我需要通过高频开关来减少外围元组合尺寸，这就要求我必须充分激发出这样的速率能力对应于基于Nanosecond级别开关信号处理系统中的适配。此次，我确立了一种适用于GaAs或SiC带隙栅场效应晶体管（FETs）的操作方式，它可以比以往任何时候都要快速得多，而且它甚至还融入了我们的模拟电源设备之一——“Nano Pulse Control”。因此，该方法不仅让我们掌握到了一个新的创新点，也使得这个领域中的其他所有参与者都感到震惊。
