ROHM推出高性能GaN器件驱动控制IC技术显著提升线性电源电路的物品高速应用能力

我将GaN器件与控制IC相结合，助力电源应用进一步节能和小型化。ROHM（总部位于日本京都市）确立了一项超高速驱动控制IC技术，利用该技术可更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。

近年来，GaN器件因其具有高速开关的特性优势而被广泛采用，然而，如何提高控制IC（负责GaN器件的驱动控制）的速度已成为亟需解决的课题。在这种背景下，我进一步改进了在电源IC领域确立的超高速脉冲控制技术“Nano Pulse Control”，成功地将控制脉冲宽度从以往的9ns提升至2ns，达到业界超高水平。通过将该技术应用在控制IC中，又成功地确立了可更大程度激发GaN器件性能的超高速驱动控制IC技术。

目前，我正在推动应用该技术的控制IC产品转化工作，计划在2023年下半年开始提供100V输入单通道DC-DC的样品。通过将其与ROHM的“EcoGaN系列”等GaN器件相结合，将会为基站、数据中心、FA设备和无人机等众多应用实现显著节能和小型化做出贡献。

未来，我将继续以其擅长的模拟技术为中心，追求应用易用性，并积极开发解决社会问题产品。我相信，这项成果对于促进GaN材料普及至关重要，也是我们共同努力向一个更加绿色、高效能源时代迈出的重要一步。