2025-03-24 智能输送方案 0
我将GaN器件与控制IC相结合，助力电源应用进一步节能和小型化。ROHM确立了一项超高速驱动控制IC技术，这项技术可以更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。近年来，GaN器件因其具有高速开关的特性优势而被广泛采用，而如何提高控制IC（负责GaN器件的驱动控制）的速度已成为亟需解决的课题。在这种背景下，ROHM进一步改进了在电源IC领域确立的超高速脉冲控制技术“Nano Pulse Control”，成功地将控制脉冲宽度从以往的9ns提升至2ns，达到业界超高水平。通过将该技术应用在控制IC中，又成功地确立了可更大程度激发GaN器件性能的超高速驱动控制IC技术。
目前，我正在推动应用该技术的控制IC产品转化工作，计划在2023年下半年开始提供100V输入单通道DC-DC的样品。通过将其与我的“EcoGaN系列”等GaN器件相结合，将会为基站、数据中心、FA设备和无人机等众多应用实现显著节能和小型化做出贡献。我将继续以模拟技术为中心，追求易用性，并积极开发解决社会课题的产品。
日本大阪大学研究生院工学研究科森勇介教授表示：“多年来，GaN作为能够实现节能功率半导体材料一直备受期待，但这种材料在品质和成本等方面还存在诸多问题。在这种背景下，我建立了高可靠性GaN器件量产体系，并积极推动能够更大程度地发挥出GaN器件性能的一些开发。这对于促进使用这些材料的人们来说，可以说是非常重要的一大步。”
为了真正发挥出功率半导体材料性能，就需要将晶圆、元器件、control IC及模块有机结合起来。在这方面，有包括我公司在内许多极具影响力的企业。而且，从我们正在研究中的晶圆到我公司正在研究中的元器件及control IC，它们都需要整个国家通力合作，为实现无碳社会贡献力量。
为了使电源电路更加小型化，我们需要通过高频开关减少外围元组合尺寸，而这就要求充分激发出这样的高速开关如GA N 的driver performance。这次，在包含外围元组合方案中，我确立了一种适用于 GAN 器 件 的 高速 driver control IC 技术，该技巧融入了 我所引以为豪的一个模拟 电源 技术 - “ Nano Pulse Control” 技术。
这个技巧采用 在 我们垂直集成生产系统下的融合设计工艺布局三大模拟技巧实现 "Nano Pulse Control" 技术。它利用自有的电路结构，将最小控制脉宽由以前 9 ns 大幅提升至 2 ns，使得仅需一枚电子部品即完成从最高60V到0.6V降压转换工作（48V 和24V 应用主要）。该技巧特别适用于与 GAN 器 件 结合使用，以便进行快速打开操作，从而帮助减少外围部位面积，对于采纳此法则 DC-DC 部位及其 ECO-GAN 系列 GAN 器 件 进行比较时后者安装空间比采纳常规部分可减少86%。
关于 “Nano Pulse Control”，它是一种高速度脉冲控管技能，可以达到的时间单位是纳秒级别，使得不可能之前无法完成的大范围低压转换成为现实，如欲了解更多信息，请访问：https://www.rohm.com.cn/support/nano
关于 ECO-GAN，这是一个优化 GA N 的低导通阻抗以及快速打开功能，让所有这些 GA N 器 件 能够尽可能大的节能并缩短空间大小，这个系列也让人们设计时可以省去时间，还可以减少物料数量。此类方法对许多项目都是有益处，而且它也是一个例子展示着实际环境里如何利用先进科技来降低能源消耗，以及创造新的机会给人类生活带来改变。
