2025-03-24 智能输送方案 0
我将GaN器件与控制IC相结合，助力电源应用进一步节能和小型化。ROHM（总部位于日本京都市）确立了一项超高速驱动控制IC技术，利用该技术可更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。
近年来，GaN器件因其具有高速开关的特性优势而被广泛采用，然而，如何提高控制IC（负责GaN器件的驱动控制）的速度已成为亟需解决的课题。在这种背景下，ROHM进一步改进了在电源IC领域确立的超高速脉冲控制技术“Nano Pulse Control”，成功地将控制脉宽度从以往的9ns提升至2ns，这一成就达到业界超高水平。
通过将该技术应用在控制IC中，又成功地确立了可更大程度激发GaN器件性能的超高速驱动控制IC技术。目前，我正在推动应用该技术的产品转化工作，并计划在2023年下半年开始提供100V输入单通道DC-DC样品。我相信，与我的“EcoGaN系列”等GaN器件相结合，将为基站、数据中心、FA设备和无人机等众多应用实现显著节能和小型化做出贡献。
未来的我将继续以模拟技术为中心，以易用性为追求目标，不断开发解决社会问题的产品。日本大阪大学研究生院工学研究科森勇介教授表示：“多年来，我们一直期待着能够实现节能功率半导体材料，如今ROHM已经建立了高可靠性GaN量产体系，并积极推进能够发挥出最大潜力的控制IC开发。这对于促进普及而言，是非常重要的一步。”
要想真正发挥出功率半导体性能，就需要将晶圆、元器件、控
