2025-03-24 智能输送方案 0
我将GaN器件与控制IC相结合，助力电源应用进一步节能和小型化。ROHM（总部位于日本京都市）确立了一项超高速驱动控制IC技术，利用该技术可更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。
近年来，GaN器件因其具有高速开关的特性优势而被广泛采用，然而，如何提高控制IC（负责GaN器件的驱动控制）的速度已成为亟需解决的课题。在这种背景下，ROHM进一步改进了在电源IC领域确立的超高速脉冲控制技术“Nano Pulse Control”，成功地将控制脉宽度从以往的9ns提升至2ns，这一成就业界称之为高水平。通过将该技术应用于控制IC中，又成功地建立了可更大程度激发GaN器件性能的超高速驱动控制IC技术。
目前，我正在推动应用该技术的产品转化工作，并计划在2023年下半年开始提供100V输入单通道DC-DC样品。当这些新产品与我的“EcoGaN系列”等GaN器件相结合，将会为基站、数据中心、FA设备和无人机等众多应用实现显著节能和小型化做出贡献。
未来，我将继续以模拟技术为中心，以追求易用性为目标，不断开发解决社会问题的产品。我相信，与其他行业合作，我们可以共同促进无碳社会，为整个国家贡献力量。
为了实现包括外围元件在内的小型化设计，我需要能够充分激发出GaN等高速开关器件驱动性能。为了达到这一目的，我已经确立了一种非常适合用于此类任务的一种超高速驱动控制IC，该技术还融入了我引以为豪的一项模拟电源技術——“Nano Pulse Control”。
通过采用自有的电路结构，将最大限度减少对外部元组件大小要求。这使得仅需1枚电源芯片即可完成从60V到0.6V之间变压工作，从而极大的降低安装空间需求，对于使用我的DC-DC芯片和Eco GaN系列材料进行比较时，可比普通材料减少86%安装面积。此外，由于我的Ga N素体具有优越的人口导通阻抗及快速切换能力，使得系统整体功率效率得到显著提升，同时也减少了设计周期及所需元组件数量。
对于更多关于这项创新性的"Nano Pulse Control" 技术信息，请访问：https://www.rohm.com.cn/support/nano
同样，我推出了一个名为"Eco GaN" 的全新Ga N半导体系列，该系列致力于通过最大限度优化Ga N素体本身，以及其低导通阻抗以及快速切换性能，从而帮助客户进一步提高系统效率并缩小尺寸。此举不仅有助于降低功耗，还有利于简化设计流程并减少所需零部件数目。
