ROHM推出新技术提升GaN器件性能的超高速驱动控制IC适用于多种直流电源物品场景

我将GaN器件与控制IC相结合，助力电源应用进一步节能和小型化。ROHM确立了一项超高速驱动控制IC技术，这项技术可以更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。近年来，GaN器件因其具有高速开关的特性优势而被广泛采用，而如何提高控制IC（负责GaN器件的驱动控制）的速度已成为亟需解决的课题。在这种背景下，ROHM进一步改进了在电源IC领域确立的超高速脉冲控制技术“Nano Pulse Control”，成功地将控制脉冲宽度从以往的9ns提升至2ns，达到业界超高水平。通过将该技术应用在控制IC中，又成功地确立了可更大程度激发GaN器件性能的超高速驱动控制IC技术。

目前，我正在推动应用该技术的控制IC产品转化工作，计划在2023年下半年开始提供100V输入单通道DC-DC的样品。通过将其与我的“EcoGaN系列”等GaN器件相结合，将会为基站、数据中心、FA设备和无人机等众多应用实现显著节能和小型化做出贡献。我将继续以模拟技术为中心，追求易用性，并积极开发解决社会课题的产品。

日本大阪大学研究生院工学研究科森勇介教授表示：“多年来，GaN作为能够实现节能功率半导体材料一直备受期待，但这种材料在品质和成本方面还存在诸多问题。在这种背景下，我建立了高可靠性GaN器件量产体系，并积极推动能够更大程度地发挥出GaN器件性能的一种新型制程。这对于促进高效能电子设备普及而言，可以说是非常重要的一步。”

要想真正发挥出功率半导体性能，就需要将晶圆、元器件、对应手册和模块等多种关键环节有机结合起来。在这方面，有包括我公司在内的大量企业都展现出了强大的实力，从我们正在研究的小规模晶圆生产到公司正在开发的小尺寸、高频率操作元器件，这些都是向着无碳社会迈出的坚实一步。

为了包含外围元组成完整解决方案，我们必须拥有适合于快速开关条件下的精细调控能力。这次，我利用自己的模拟电源专业知识之一——“Nano Pulse Control”技巧，以此融入我的垂直统合式生产系统中，使得最终产品不仅功能上得到优化，而且结构也更加紧凑灵活。此举不仅使得最终设计中的外围元组成减少至原来的86%，同时，也降低了整体设计难度，为用户带来了更多便利。

最后，让我提一下关于“Nano Pulse Control”的一些信息：它是一种专门针对高频转换需求而设计的人工智能算法，它可以让传统意义上的60V甚至80V降压变换成为可能，同时最大限度减少所需额外零部件数量，从而降低总成本并简化整个系统布局。如果你想要了解更多关于这个先进科技，请访问我们的官方网站获取详细资料：https://www.rohm.com.cn/support/nano

同样值得一提的是，“EcoGaN系列”是我最新研发的一批基于硅酸盐基板上铜氧化物绝缘层直接增长氮化镓（GaAs）单结或双结晶片，是一种全新的、高效率、高切换速率、高安全性的二极管。这款产品集成了所有必需功能，如自动诊断故障模式，以及其他必要参数，如温度监测以及过热保护功能，使其适用于各种复杂环境条件下的使用，无论是在家用还是工业级别，都能提供最佳表现。我相信这些创新突破，将会为我们的客户带来前所未有的经济效益和操作便利。