2025-03-24 智能化学会动态 0
我将GaN器件与控制IC相结合，助力电源应用进一步节能和小型化。ROHM（总部位于日本京都市）确立了一项超高速驱动控制IC技术，利用该技术可更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。
近年来，GaN器件因其具有高速开关的特性优势而被广泛采用，然而，如何提高控制IC（负责GaN器件的驱动控制）的速度已成为亟需解决的课题。在这种背景下，ROHM进一步改进了在电源IC领域确立的超高速脉冲控制技术“Nano Pulse Control”，成功地将控制脉宽度从以往的9ns提升至2ns，这一成就达到业界超高水平。
通过将该技术应用在控制IC中，又成功地确立了可更大程度激发GaN器件性能的超高速驱动控制IC技术。这项技术对高频开关电源尤为重要，因为它可以实现外围元器件的小型化，从而对于基站、数据中心、FA设备和无人机等众多应用来说，将会实现显著节能和小型化。
目前，ROHM正在推动应用该技术的产品转化工作，并计划在2023年下半年开始提供100V输入单通道DC-DC样品。通过将其与ROHM的“EcoGaN系列”等GaN器件相结合，将会为这些应用带来巨大的效益。此外，由于这项新颖且先进的心智创意，它也促使其他公司研究他们自己的方法，以提高效率并满足不断增长市场对创新解决方案需求。
森 勇介 教授表示：“多年来，GaN作为能够实现节能功率半导体材料一直备受期待，但这种材料在品质和成本等方面还存在诸多问题。在这种背景下，ROHM建立了高可靠性GaN量产体系，并积极推动能够更大程度发挥出性能的是开发此类晶圆、元器件、模块有机结合起来。这对于促进使用半导体材料进行设计系统是非常重要的一步。”
要想真正发挥出功率半导体性能，就需要整合晶圆生产、高级电子组装以及精密自动化制造过程。日本拥有包括ROHM在内的大量具有影响力的企业，他们专注于研发新的芯片设计，以优化传感能力，同时减少能源消耗，为全球客户提供更加灵活且可持续性的解决方案。
