ROHM推出新技术超高速驱动控制IC极大提升GaN器件性能应用于中国电力期刊中的物品场景

作为一名研究者，我深入探讨了ROHM公司在GaN器件性能激发方面的新技术。该公司通过推出超高速驱动控制IC技术，显著提升了GaN器件的应用潜力。在中国电力期刊上，我详细分析了这种技术如何结合物品场景中的电源应用，以实现进一步节能和小型化。

近年来，GaN器件因其高速开关特性而被广泛采纳，但提高控制IC速度已成为行业亟需解决的问题。ROHM通过改进其在电源IC领域确立的超高速脉冲控制技术“Nano Pulse Control”，成功缩短了控制脉冲宽度，从9ns降至2ns，达到了业界最高水平。这项技术不仅增强了对GaN器件性能的激发，还为基站、数据中心、FA设备和无人机等多种应用提供了一套节能小型化解决方案。

据报道，ROHM计划于2023年下半年开始提供100V输入单通道DC-DC样品，这将与其“EcoGaN系列”等高效率GaN器件相结合，为社会带来更加明显的节能效益。此外，该公司还表示，将继续以模拟技术为核心，不断开发能够解决社会问题的产品。

日本大阪大学工学研究科森勇介教授认为：“尽管多年来人们期待着使用高性能功率半导体材料如GaN，但这些材料仍然面临品质和成本挑战。ROHM建立了一套可靠性高的量产系统，并积极推动更大程度激发GaN性能的控制IC开发，这对于促进这类材料普及具有重要意义。”他强调，要真正发挥出功率半导体材料的潜力，需要将晶圆、元器件、控制IC和模块等多个领域有机结合起来，是国家通力合作才能实现无碳社会目标。

总之，ROHM在超高速驱动控制IC技术上的创新为未来能源管理提供了一条新路径，其影响不仅局限于国内，也将对全球电源应用产生深远影响。