2025-03-24 智能化学会动态 0
ROHM推出了一个可以更有效地激发GaN高速开关器件性能的超高速驱动控制IC技术。该技术结合了GaN器件和专门设计的控制IC，旨在进一步提高电源应用的能效和降低它们的尺寸。通过改进在电源IC领域已有的超高速脉冲控制技术“Nano Pulse Control”，ROHM成功将控制脉宽从9ns缩短至2ns，这一水平在行业中是非常出色的。
此外，ROHM正在开发利用该技术生产的一种新的控制IC，该产品计划于2023年下半年开始提供100V输入单通道DC-DC转换样品。当与ROHM的“EcoGaN系列”等高性能GaN器件相结合时，这些新型控制IC将有助于实现基站、数据中心、FA设备以及无人机等多种应用中的显著节能和小型化。
日本大阪大学研究生院工学研究科森勇介教授表示：“尽管GaN作为一种节能功率半导体材料已经受到期待，但它仍面临着品质和成本方面的问题。在这种背景下，ROHM建立了一套高可靠性GaN器件的量产体系，并致力于开发能够更大程度地发挥出这些器件潜力的控制IC。这对于推广使用GaN材料而言具有重要意义。”
为了实现电源电路的小型化，需要通过高频开关来减少外围元件尺寸，而这要求能够充分激发出如GaN等高速开关器件驱动性能的控制IC。为了达到这一目的，ROHM采用了其垂直统合型生产体制融合了三大模拟技术——电路设计、工艺和布局——并实现了自有的“Nano Pulse Control”技术。
通过采用这种结构，将原来的最小控制脉宽从9ns提升至2ns，使得以48V或24V为主应用只需1枚电源IC即可完成从60V到0.6V的大幅降压转换工作。这种特性使得该技术特别适合与GaN器件结合，以实现高频开关，从而对外围元组进行小型化处理。此外，该技术还可以帮助安装面积减少86%，显示出其巨大的优势。
总之，随着全球对环境友好、高效能源解决方案需求日益增长，ROHM继续致力于模拟技术创新，为社会问题提供更多实用产品。
