2025-03-24 智能化学会动态 0
我将GaN器件与控制IC相结合，助力电源应用进一步节能和小型化。ROHM确立了一项超高速驱动控制IC技术，利用该技术可更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。我近年来，GaN器件因其具有高速开关的特性优势而被广泛采用，然而，我如何提高控制IC（负责GaN器件的驱动控制）的速度已成为亟需解决的问题。在这种背景下，ROHM进一步改进了在电源IC领域确立的超高速脉冲控制技术“Nano Pulse Control”，成功地将控制脉冲宽度从以往的9ns提升至2ns，为业界树立了新高标准。此外，该技术不仅使得在100V输入单通道DC-DC转换中实现更高效率和更快响应时间，还极大缩短了元器件设计周期。
目前，我正在推动应用该技术的控制IC产品转化工作，并计划在2023年下半年开始提供样品。这意味着，将此技术与我的“EcoGaN系列”等GaN器件相结合，将为基站、数据中心、FA设备和无人机等众多应用实现显著节能和小型化。未来，我将继续以模拟电路为核心，不断追求易用性，并积极开发解决社会问题的产品。
日本大阪大学研究生院工学研究科森勇介教授表示：“多年来，GaN作为能够实现节能功率半导体材料一直备受期待，但这方面还存在诸多挑战。在这种背景下，我建立了高可靠性GaN量产体系，并积极推动能够发挥出其性能潜力的控制IC开发。这对于促进普及是非常重要的一步。”
为了真正发挥出功率半导体性能，就需要将晶圆、元器件、控制IC、模块等多种技术有机结合起来。在这一点上，有包括我公司ROHM在内的大量企业具有很大的影响力。我现在正致力于研发晶圆级别、高频开关能力强劲且成本低廉的小尺寸元器件，以此满足市场对更加精细化、高效率、高安全性的需求。
通过融合电子设计自动化（EDA）、工艺优化以及集成电路设计三大元素，“Nano Pulse Control”可以使得微秒级别到纳秒级别之间进行灵活切换，从而适应各种不同类型和规模大小的事务所需。此外，这种创新的方案还减少了使用传统方法时可能产生的问题，比如过热或失去稳定性，使得整个系统更加耐用并且降低维护成本。
总之，“超高速驱动控制”是一项革命性的创新，它不仅能够帮助我们向前迈进，同时也给我们的客户带来了更多选择。当我们一起努力，无论是在全球还是本地，我们都能共同走向一个更加绿色环保的地球，让每个人都享受到清洁能源带来的好处。
