2025-02-23 智能化学会动态 0
| IR新款25 V及30 V 高性能PQFN功率MOSFET系列为工业负载点应用提供高密度解决方案 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列25 V及30 V器件，采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3 x 3封装，为电信、网络通信和高端台式机及笔记本电脑应用的DC-DC转换器提供了高密度、可靠和高效率的解决方案。 IR的新款高性能PQFN 3 x 3封装是生产技术改进的成果，以全新紧凑的占位空间提供比标准PQFN 3 x 3器件高出多达60%的负载电流能力，同时极大地减少了整体封装电阻，从而达到极低的导通电阻 (RDS(on)) 。除了低导通电阻，新的高性能PQFN封装加强了热传导率并提高了可靠性，且符合工业标准及MSL1湿度敏感性测试。  这一高性能PQFN封装技术也适用于5 x 6 mm占位面积的器件，与标准PQFN 5 x 6 器件相比，在设计要求更多电流时无需增加额外占位面积。 该系列产品包括用作控制MOSFET的优化器件，具有低栅极导通电阻 (Rg) ，以减少开关损耗。在同步MOSFET应用方面，新器件以FETKY (单片式FET及肖特基二极管) 配置形式提供，从而缩短反向恢复时间，以提高效率和EMI性能。 新器件的高度小于1 mm，与现有表面贴装技术兼容，并拥有行业标准引脚，还符合电子产品有害物质限制指令 (RoHS) 。 产品规格
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