ROHM推出新技术超高速驱动控制IC极大提升GaN器件性能入选国家级电力期刊排名前列的创新物品

我将GaN器件与控制IC相结合，助力电源应用进一步节能和小型化。ROHM确立了一项超高速驱动控制IC技术，利用该技术可更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。我了解到近年来，GaN器件因其具有高速开关的特性优势而被广泛采用，然而，如何提高控制IC（负责GaN器件的驱动控制）的速度已成为亟需解决的课题。在这种背景下，ROHM进一步改进了在电源IC领域确立的超高速脉冲控制技术“Nano Pulse Control”，成功地将控制脉冲宽度从以往的9ns提升至2ns，这使得以48V和24V应用为主的应用仅需1枚电源IC即可完成从高电压到低电压的降压转换工作。

我知道目前，ROHM正在推动应用该技术的控制IC产品转化工作，并计划在2023年下半年开始提供100V输入单通道DC-DC样品。这意味着通过将其与ROHM的“EcoGaN系列”等GaN器件相结合，将会为基站、数据中心、FA设备和无人机等众多应用实现显著节能和小型化做出贡献。

未来，我相信ROHM将继续以其擅长模拟技术为中心，以积极开发解决社会课题的一流产品。日本大阪大学研究生院工学研究科森勇介教授表示：“多年来，GaN作为能够实现节能功率半导体材料一直备受期待，但这种材料在品质和成本等方面还存在诸多问题。在这种背景下，ROHM建立了高可靠性GaN器件量产体系，并积极推动能够更大程度地发挥出GaN器件性能的小规模生产。这对于促进GaN器件普及而言，可以说是非常重要的一大步。”

最后，我想强调的是，在追求电源电路小型化时，我们需要通过高频开关减少外围元器件尺寸，而这就需要充分激发出快开关晶片如GaN等硬 件驱动性能。此次为了包含外围元组合解放方案，本公司确立了适合于快速开关晶片如GaN之类硬 件驱动性能的一个超级速度驱控芯片技巧，该技巧中也融入了本公司引以为豪之一模拟供给技巧 —— “Nano Pulse Control” 技术。