2025-03-24 企业动态 0
我将GaN器件与控制IC相结合，助力电源应用进一步节能和小型化。ROHM（总部位于日本京都市）确立了一项超高速驱动控制IC技术，利用该技术可更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。
近年来，GaN器件因其具有高速开关的特性优势而被广泛采用，然而，如何提高控制IC（负责GaN器件的驱动控制）的速度已成为亟需解决的课题。在这种背景下，ROHM进一步改进了在电源IC领域确立的超高速脉冲控制技术“Nano Pulse Control”，成功地将控制脉宽度从以往的9ns提升至2ns，这一成就达到业界超高水平。
通过将该技术应用在控制IC中，又成功地确立了可更大程度激发GaN器件性能的超高速驱动控制IC技术。目前，ROHM正在推动应用该技术的控制IC产品转化工作，并计划在2023年下半年开始提供100V输入单通道DC-DC电源样品。通过将其与ROHM的“EcoGaN系列”等GaN器件相结合，将会为基站、数据中心、FA设备和无人机等众多应用实现显著节能和小型化做出贡献。
未来的发展方向是，以模拟技术为核心，不断追求易用性，并积极开发解决社会问题的大型项目。我相信，只要我们能够有效地集成晶圆、元器件、模块以及其他相关科技，就可以真正发挥功率半导体材料潜力的最大限度。这对于实现无碳社会目标而言，是非常关键的一步。
最后，我想强调的是，无论是晶圆还是元器件或模块，都需要整个国家协同合作才能达成这一目标。而日本作为一个拥有许多极具影响力的企业，如包括ROHM在内的地方，也正是在这样的努力之下，我们才有可能走向更加绿色环保的地球未来。
