2025-03-24 企业动态 0
我将GaN器件与控制IC相结合，助力电源应用进一步节能和小型化。ROHM确立了一项超高速驱动控制IC技术，这项技术可以更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。近年来，GaN器件因其具有高速开关的特性优势而被广泛采用，而如何提高控制IC（负责GaN器件的驱动控制）的速度已成为亟需解决的问题。在这种背景下，ROHM进一步改进了在电源IC领域确立的超高速脉冲控制技术“Nano Pulse Control”，成功地将控制脉冲宽度从以往的9ns提升至2ns，为业界提供了高水平的性能。
通过将该技术应用于控制IC中，又成功地确立了可更大程度激发GaN器件性能的超高速驱动控制IC技术。目前，ROHM正在推动应用该技术的产品转化工作，并计划在2023年下半年开始提供100V输入单通道DC-DC样品。此外，该系列产品还包括与EcoGaN等高效率、高频开关能力的GaN器件相结合，将会为基站、数据中心、FA设备和无人机等众多应用实现显著节能和小型化。
未来，我将继续以模拟技术为中心，追求易用性，并积极开发解决社会问题的大型项目。我相信，只有通过整合晶圆、元器件、控
