ROHM推出新技术超高速驱动控制IC极大提升GaN器件性能于电源论坛热议

我将GaN器件与控制IC相结合，助力电源应用进一步节能和小型化。ROHM（总部位于日本京都市）确立了一项超高速驱动控制IC技术，利用该技术可更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。

近年来，GaN器件因其具有高速开关的特性优势而被广泛采用，然而，如何提高控制IC（负责GaN器件的驱动控制）的速度已成为亟需解决的课题。在这种背景下，ROHM进一步改进了在电源IC领域确立的超高速脉冲控制技术“Nano Pulse Control”，成功地将控制脉宽度从以往的9ns提升至2ns，这一成就达到业界超高水平。

通过将该技术应用在控制IC中，又成功地确立了可更大程度激发GaN器件性能的超高速驱动控制IC技术。目前，ROHM正在推动应用该技术的控制IC产品转化工作，并计划在2023年下半年开始提供100V输入单通道DC-DC样品。通过将其与ROHM的“EcoGaN系列”等GaN器件相结合，将会为基站、数据中心、FA设备和无人机等众多应用实现显著节能和小型化做出贡献。

未来，我将继续以其擅长模拟技术为中心，以追求易用性为目标积极开发解决社会问题的一系列产品。我认为，在推进新材料如GaN普及过程中，不仅要考虑到材料本身，还需要有一个强大的支持系统。这包括晶圆制造商、元器件制造商以及集成电路设计师之间紧密合作，以及对市场需求进行深入理解。

《电子信息》杂志报道称：“为了应对不断增长的大数据处理需求以及越来越复杂的地理位置服务，我们需要更加高效且低功耗的小型化组建。此时，无论是基础设施还是消费级设备，都必须能够提供高效率、高频率切换能力。”这正是我们希望通过这些先进材料和智能设计实现目标的地方。”

针对这一挑战，我已经提出了一些建议，比如使用合适的人工智能算法来优化网络架构，同时还可以采用类似的方法来优化硬件结构，从而降低整个系统所需能源消耗。我相信，如果我们能够有效整合软件和硬件层面的创新，就可以创造出既满足当前需求又具有前瞻性的解决方案，为未来的科技发展奠定坚实基础。